Condensadores de microondas de cerámica, 500V, tamaño 1111, alto Q, bajo ESL, ruido, a200J, D200, porcelana, P90, multicapa, 20pF

Unidad interna de estado sólido PM991, disco duro de almacenamiento de 128GB SSD, M.2 2230 NVME, PCIE3.0, para portátiles, tabletas, PC, MZ9LQ128HBHQ

Condensadores de microondas de cerámica, 390pF, 200V, RF, tamaño 1111, alto Q, bajo ESR, ESL, ruido, a391J, D391, porcelana, P90, multicapa

Resistencia no inductiva MP930 0.025 ohmios 5 por ciento 30 vatios kool-pak Power Film resistencias 0.025 ohmios 30 vatios MP930 0.025Ω 5% E

Atenuador de 100 vatios, brida completa de 100 vatios, 1dB, DC-3GHz, 50 ohmios, 50ohm, DC-3.0Ghz, 1dB, baja potencia, VSWR

Brida de montaje en cruz de atenuador, 30dB, 100 vatios, reemplazo 33A7023, 100 vatios, 30.00dB, 50 ohmios, DC-3GHz

Montaje de brida de terminación, 250 vatios, 50 ohmios, DC-2.0GHz, 32-1037, TC250, 50A, 250 vatios

Resistencia de microondas de alta potencia, montaje de brida de DC-6.0GHz, CC a 6000MHz, 60 vatios, 50 ohmios, RFR 50-60

Resistencia de terminación 32-1037, 50 ohmios, 250 vatios, reborde, ternimación, 250 vatios, 50 ohmios, RF, California

Terminación de brida, resistencia de microondas de alta potencia, 250 vatios, 50 ohmios, carga ficticia, 250W, 50 Ω

Transistor MOSFET LDMOS de potencia AIRFAST RF, 728MHz a 3600MHz, 1,26 W, AVG 28V, AFT27S010NT1, AFS10, 2110-2170MHz, 728-768MHz, 3400-3600MHz

Altavoz piezas 2831/3128 de 4 Ohm, 3 vatios, 4R, 3 W, rango completo, accesorios de altavoz HIFI 3525, altavoz ultradelgado

2SK2596BXTL-E 2SK2596 BX 2SK2596BX 2SK2596BXTL SOT-89 nuevo y ORIGINAL, 20 unidades por lote

Siglent Technologies-osciloscopio Digital SDS1104X-E, 100Mhz, 4 canales, decodificador estándar, gris

Caja de instrumentos de carcasa de plástico impermeable, caja de proyecto electrónico, controlador PLC, caja de conexiones, Blanco/Negro, bricolaje

Relé de interruptor de lengüeta de piezas, 10 SIP-1A05, 5V, 4 pines

M9045M nuevo

Módulo de potencia 8705 AE, 8705124

Medidor de potencia de onda corta con alarma de relación de ondas de pie de sobrevoltaje, función de ajuste de tiempo AVG

IC 100% nuevo envío gratis PIC16F886-E/ML 16F886-E/ML 16F886 QFN

Mezclador de frecuencia de SYM-3932-1, mezclador de DC-3000MHz de montaje en superficie, 3932MHz

Transistor de potencia RF PD85035S, 870MHz, 35 vatios, PD85035S-E, 35W, 14.9dB de ganancia, transistor de potencia RF, la mayoría de los MOSFET, radio Móvil para coche

Transistor LDMOS de potencia BLF6G38-25, banda ancha de 25 W, 3400 MHz a 3800 MHz, 25 vatios, 3,4 GHz-3,8 GHz

Serie InGaAs HEMT MGF4918D de ruido súper bajo, diseñada para usar en amplificadores de Banda X a K, código de marcado DC GaAs FET

MGF4916G GaAs FET MGF491xG Series marcando Nt Ns SUPER bajo ruido InGaAs HEMT uso en amplificadores de banda L a Ku MIT

Código de marcado de rendimiento Ultra estable, caja de tamaño A, alto Q, bajo ESR ESL, bajo ruido, 250 VDC, 10 pF, 100A100JT150XT, a100J, 0,55x0,55

Acoplador híbrido de 90 grados para microondas, dispositivo de 815 MHz - 960 MHz, 3dB, 100 vatios, RF, s03a88n1r, AMPS, GSM EDGE, s03a88n1

Módulo amplificador de RADIO móvil RF MOSFET, RA60H1317M referencia cruzada, 135-175MHz, 30W/60W, 12,5 V/24V, RD60W1317F, 135 a 175Mhz