Resistencias de brida de 250 vatios, 50 ohm, terminación RF, resistencia de microondas, carga ficticia de 250 W, 50 ohmios, EMC 32A1213F, baja VSWR, DC-3.0 GHz
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MGF4916G GaAs FET MGF491xG Series marcando Nt Ns SUPER bajo ruido InGaAs HEMT uso en amplificadores de banda L a Ku MIT
Módulos de potencia RF RD60W3352F, 330-520MHz, 24V para 60W, 12,5 V para 30W, referencia cruzada RA55H3340M1, RA60H4047M1, RA60H4452M1
Soporte de brida de terminación, 250 W, 50 ohmios, ficticia 7001 32-resistencia de carga, 250 W, 50R, 50 ohmios, 250 vatios, PIN único, nuevo y original
Acopladores híbridos de 3 dB, 90 grados, 200 MHz a 400 MHz, 200 vatios, componentes RF de grado militar, 200-400 MHz, 200 vatios, 3dB, 90 grados
Resistencias de Chip de montaje en superficie, 10 vatios, 50 ohmios, CZ12010T0050GTR, 10W, 50 Ω, película delgada resistiva, CZ12010T0050G02, 50ohm
Componentes resistivos 60N50TP, terminal con bridas, 60 vatios, 50 ohmios, DC-3.0GHz, RFP60N50TP, RFP60N50, 60-50TP, 60-50, 60W, 50R
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Terminación de brida RFP250N50TC 250 vatios 50ohm 250W 50 ohmios RFP 250N50 TC terminación RF resistencia de microondas carga ficticia de alta potencia
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